‌S6R1616W1B-YI10‌  ‌16Mb 异步高速 SRAM（静态随机存取存储器）‌，

采用 ‌48-pin TSOP1 封装‌，适用于高可靠性、高速电子系统应用。

关键参数

• ‌存储容量‌：16M bit（1M × 16 位组织）
• ‌工作电压‌：支持 ‌1.8V、2.5V、3.3V‌ 多种供电选项 ‌‌
• ‌封装形式‌：‌48-pin TSOP1‌（也支持 48-ball FBGA 和 44-pin TSOP2）‌‌
• ‌访问时间‌：典型值如 ‌tAA = 84ns、tOE = 10ns‌（具体取决于速度等级）‌‌
• ‌字节控制‌：支持 ‌低字节（L̅B̅）‌ 和 ‌高字节（U̅B̅）‌ 独立访问 ‌‌
• ‌技术工艺‌：基于 ‌6-TR CMOS 单元‌ 的高速 SRAM 技术 ‌‌

应用场景

• 工业控制
• 医疗设备
• 通信设备
• 高速嵌入式系统
• 仪器仪表等对速度和可靠性要求较高的领域
• 24小時服務熱綫：18924671029 雷先生